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Neo Semiconductor 宣布了世界上第一个称为 3D X-DRAM 的 3D 可堆叠 DRAM 技术，它可以彻底改变我们今天所知的内存行业。Neo 估计其 3D X-DRAM 技术可以达到 128Gb 的密度，这是当今采用DDR5技术的最佳解决方案的 8 倍。

硅的 3D 堆叠已经存在了几年。您可能已经在 AMD最新的采用3D V-Cache技术的Ryzen CPU中看到了它，但是，这是第一次将 3D 堆叠技术引入计算机系统内存(即 DDR4 和 DDR5)。与当前的 2D 解决方案相比，3D-XDRAM 允许 DRAM 模块垂直(3D)堆叠在彼此之上，以提高密度和整体内存容量。Neo 的新 3D X-DRAM 技术使用了一种类似于 3D NAND 的 DRAM 单元阵列结构。据报道，它制造成本低廉且易于生产，但与当今的 DRAM 设计相比，其内存容量大得多。

我们不知道带有 3D X-DRAM 的 DRAM 模块到底有多快或多大，但该技术对整个计算行业具有巨大影响，特别是在高端服务器市场，大块内存(超过1TB)需要运行复杂的工作负载，如模拟和机器学习。根据 Neo 的分析，我们可以在未来使用 3D X-DRAM 拥有容量为 4TB 至 8TB 的单个内存 DIMM，考虑到目前使用整排 DIMM 的大多数服务器最大容量为 8TB，这是一个惊人的容量。

Neo 表示，由于其令人印象深刻的功能，整个半导体行业正在转向系统内存的 3D 堆叠技术。据报道，3D 堆叠将使该行业绕过数十年来围绕 DRAM 密度的成本和产量延迟，以及不可避免的制造中断。Neo 预计3D X-DRAM 的发展将在未来 15 年内飞速发展，从 2024 年到 2030 年代中期，密度从 128Gb 一直线性增加到 1Tb。